本文標(biāo)題："電路生產(chǎn)工序切割成厚度截面分析金相顯微鏡"
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電路生產(chǎn)工序切割成厚度截面分析金相顯微鏡
原材料制備
事實(shí)上每一道集成電路生產(chǎn)工序都要求使用高純材料。對
硅原材料來說，對純度的要求是最高的。幾乎任何一門工業(yè)所
面臨的困難都無法與半導(dǎo)體工業(yè)大生產(chǎn)所需的超純硅材料所遇
到的困難相比。
偶而一個硅原子會不取襯底的晶向而固化在襯底表面。作
為一個獨(dú)立的集結(jié)中心，它可成為枝狀晶體生長的基地(枝狀晶
體比正常的晶體生長快得多)。枝狀晶體生長導(dǎo)致尖峰的產(chǎn)生，
它會擦傷或磨損掩模。
硅片制備
將單晶硅切割成厚度適當(dāng)?shù)墓杵且豁?xiàng)復(fù)雜的工藝。硅的
硬脆性要求采用金剛石切割片切割。切割后的硅片表面必須研
磨以去除切痕和受損傷的材料。由于損傷區(qū)會繼續(xù)向硅片下表
面擴(kuò)展，深度約為所用磨料直徑四分之三至兩倍的距離，故必須
使用較細(xì)的磨料。機(jī)械損傷的最后痕跡既可用化學(xué)腐蝕又可用
生長二氧化硅的方法來去除。拋光后硅片的表面應(yīng)光亮如鏡。
百分之五十以上的切片消耗在去除機(jī)械損傷部位上。在整
個工藝過程中必須仔細(xì)操作硅片。研磨和拋光中使用的磨料以
及碎片產(chǎn)生的硅屑會在硅片表面產(chǎn)生深的劃痕。在每一次研磨
和拋光后必須清洗每一片硅片，以去除磨粒。
擴(kuò)散
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